[发明专利]浆料和使用其的衬底抛光方法

权利要求书

1.一种氧化物抛光浆料，其特征在于，所述氧化物抛光浆料包括：

第一浆料，含有抛光的磨料、用于分散所述磨料的分散剂和第一抛光抑制剂，所述第一抛光抑制剂用于抑制与氧化物不同的第一材料的抛光，其中所述第一抛光抑制剂为聚丙二醇-b-聚乙二醇-b-聚丙二醇共聚物，所述第一材料为多晶硅；以及

第二浆料，含有用于促进所述氧化物的抛光的抛光促进剂以及第二抛光抑制剂，所述第二抛光抑制剂用于抑制与所述氧化物和所述第一材料不同的第二材料的抛光，其中所述抛光促进剂为氨甲基丙醇，所述第二抛光抑制剂为聚(丙烯酸)，所述第二材料为氮化物，

所述第一浆料和所述第二浆料以1:0.5到1:1.5的重量比率混合，

所述氧化物与所述第一材料之间的抛光选择性在100:1到300:1范围内，并且所述氧化物与所述第二材料之间的抛光选择性在20:1到60:1范围内。

2.根据权利要求1所述的氧化物抛光浆料，其中所述磨料包含氧化铈粒子，并且相对于所述第一浆料的总重量以0.1重量％到10重量％的量包含在内。

3.根据权利要求1所述的氧化物抛光浆料，其中所述第一抛光抑制剂的含量小于所述抛光促进剂的含量。

4.根据权利要求2所述的氧化物抛光浆料，其中所述第一抛光抑制剂的含量小于所述第二抛光抑制剂的含量。

5.根据权利要求1或3所述的氧化物抛光浆料，其中所述第一抛光抑制剂相对于所述第一浆料的总重量以0.002重量％到0.02重量％的量包含在内。

6.根据权利要求1或3所述的氧化物抛光浆料，其中所述抛光促进剂相对于所述第二浆料的总重量以0.1重量％到1.35重量％的量包含在内。

7.根据权利要求2或4所述的氧化物抛光浆料，其中所述第二抛光抑制剂相对于所述第二浆料的总重量以0.15重量％到1重量％的量包含在内。

8.一种衬底抛光方法，其特征在于，所述用于抛光衬底的方法包括以下步骤：

制备衬底，所述衬底具有氧化物层和由不为氧化物的多种异质材料构成的异质材料层；

制备第一浆料，所述第一浆料含有磨料、用于分散所述磨料的分散剂和用于抑制所述多种异质材料当中的第一材料的抛光的第一抛光抑制剂，其中所述第一抛光抑制剂为聚丙二醇-b-聚乙二醇-b-聚丙二醇共聚物，所述第一材料为多晶硅；

制备第二浆料，所述第二浆料含有用于促进所述氧化物的抛光的抛光促进剂和用于抑制所述多种异质材料当中的第二材料的抛光的第二抛光抑制剂，其中所述抛光促进剂为氨甲基丙醇，所述第二抛光抑制剂为聚(丙烯酸)，所述第二材料为氮化物；以及

在将所述第一浆料和所述第二浆料供应到所述衬底上的同时抛光所述氧化物层，其中所述第一浆料和所述第二浆料以1:0.5到1:1.5的重量比率混合，

所述氧化物层的抛光维持所述氧化物与所述第一材料之间的抛光选择性在100:1到300:1范围内，并且所述氧化物与所述第二材料之间的抛光选择性在20:1到60:1范围内。

9.根据权利要求8所述的衬底抛光方法，其中所述衬底的所述制备包括以下步骤：

在所述衬底上形成由所述第一材料构成的第一材料层；

在所述第一材料层上形成由所述第二材料构成的第二材料层；

在所述第一材料层和所述第二材料层中形成沟槽；以及

在包括所述沟槽的整个表面上形成氧化物层。

10.根据权利要求8或9所述的衬底抛光方法，其中，在所述氧化物层的抛光中，所述氧化物层的抛光速率快于所述第二材料的抛光速率，并且所述第二材料的所述抛光速率快于所述第一材料的抛光速率。