[发明专利]半导体器件

摘要

本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：包括由第一通路互连的多个第一金属层的第一集成电路衬底；以及在第一集成电路衬底上且包括由第二通路互连的第二金属层的第二集成电路衬底。绝缘层被布置在第一集成电路衬底和第二集成电路衬底之间，连接区被布置在绝缘层中并且将第一金属层中的第一个电连接到第二金属层中的第一个。所述器件还包括在第二集成电路衬底上的键合焊盘以及从键合焊盘延伸并进入第二集成电路衬底内以接触第二金属层中的第二个的贯通通路。贯通通路被安置从而不重叠第一通路、第二通路和连接区中的至少一个。制造这样的器件的方法也被描述。

主权项

一种半导体器件，包括：第一子芯片，所述第一子芯片包括第一衬底、在所述第一衬底上的第一金属层、以及在所述第一金属层之间的第一通路组，所述第一通路组包含电互连所述第一金属层的多个通路；第二子芯片，所述第二子芯片包括第二衬底、在所述第二衬底上的第二金属层、以及在所述第二金属层之间的第二通路组，所述第二通路组包含电互连所述第二金属层的多个通路；连接层，所述连接层被布置在所述第一子芯片和第二子芯片之间并且包括将所述第一金属层电连接到所述第二金属层的连接区；以及穿过所述第二衬底且被电连接到所述第二金属层的贯通通路，其中所述第一通路组、所述第二通路组、以及所述连接区中的至少一个与所述贯通通路横向间隔开。