[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一子芯片，所述第一子芯片包括第一衬底、设置在所述第一衬底上的第一层间绝缘层、以及形成在所述第一层间绝缘层中的第一金属层和在所述第一金属层之间的第一通路组，所述第一通路组包含电互连所述第一金属层的多个通路；

第二子芯片，所述第二子芯片包括第二衬底、设置在所述第二衬底上的第二层间绝缘层、以及形成在所述第二层间绝缘层中的第二金属层和在所述第二金属层之间的第二通路组，所述第二通路组包含电互连所述第二金属层的多个通路；

连接层，所述连接层被布置在所述第一子芯片和第二子芯片之间并且包括将所述第一金属层电连接到所述第二金属层的连接区；以及

穿过所述第二衬底且被电连接到所述第二金属层的贯通通路，

其中所述连接区与所述贯通通路横向间隔开，

其中所述连接层包含：形成于所述第一子芯片的表面上以形成于所述第一层间绝缘层和所述第一金属层上的第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层中且从所述第一金属层直线延伸的第一连接图案；以及形成于所述第二子芯片的表面上以形成于所述第二层间绝缘层和所述第二金属层上的第二绝缘层和设置在所述第二绝缘层中且从所述第二金属层直线延伸的第二连接图案，以及

其中所述第一连接图案和所述第二连接图案彼此直接接触以形成穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的所述连接区。

2.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述第二衬底的第一表面上的输入/输出(I/O)焊盘，其中所述贯通通路被电连接到所述输入/输出焊盘，以及其中所述第二金属层被布置在所述第二衬底的第二表面上，所述第二表面在所述第二衬底的与所述第一表面相反的侧。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一通路组和所述第二通路组重叠。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一通路组和所述第二通路组中的至少一个重叠所述连接区。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一通路组和所述第二通路组中的至少一个重叠所述贯通通路。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一通路组、所述第二通路组、所述连接区和所述贯通通路横向地间隔开。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一通路组的所述通路按曲折方式叠置，所述第二通路组的所述通路按曲折方式叠置。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接区的直径大于所述第一通路组的所述通路和所述第二通路组的所述通路的直径且小于所述贯通通路的直径。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一子芯片和第二子芯片形成半导体芯片，所述半导体芯片在所述半导体芯片的彼此对立的两侧具有第一表面和第二表面，以及其中所述第一衬底和第二衬底邻近所述第一表面和第二表面中各自的表面布置。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每个包括硅氧化物层。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一连接图案和第二连接图案中的每个包含铜(Cu)和钨(W)中的至少一种。