[发明专利]利用硼磷共掺提高纳米硅材料中的磷掺杂浓度的方法

摘要

利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法，步骤如下1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料；2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程，能够获得掺杂纳米硅/二氧化硅(a‑Si/SiO2)多层膜材料；控制非晶硅层沉积/原位氧化的时获得a‑Si/SiO2多层膜的厚度；3)对制备的a‑Si/SiO2多层膜进行脱氢处理；4)脱氢后对进行氮气氛围下的高温退火处理，使多晶硅结晶形成纳米硅，并激活杂质原子进入纳米硅内部，实现纳米硅的掺杂；制备成共掺杂的纳米硅/二氧化硅多层膜。

主权项

利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法，其特征是步骤如下：1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料；生长掺杂纳米硅薄膜时通入硅烷(SiH4)在硅片上进行非晶硅层沉积，同时通入磷烷(PH3)和硼烷(B2H6)以实现硼磷共掺杂，并改变掺杂气体流量以获得不同的掺杂浓度；生长纳米硅层膜材料，关闭硅烷和掺杂气体，通入氧气(O2)进行原位氧化纳米硅获得二氧化硅层；2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程，能够获得掺杂纳米硅/二氧化硅(a‑Si/SiO2)多层膜材料；控制非晶硅层沉积/原位氧化的时获得a‑Si/SiO2多层膜的厚度；3)对制备的a‑Si/SiO2多层膜进行脱氢处理；4)脱氢后对进行氮气氛围下的高温退火处理，使多晶硅结晶形成纳米硅，并激活杂质原子进入纳米硅内部，实现纳米硅的掺杂；经过以上步骤就能够制备共掺杂的纳米硅/二氧化硅多层膜。