[发明专利]在半导体器件中集成电容器的方法及对应器件有效
| 申请号： | 201610829735.4 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107134444B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | F·V·丰塔纳;G·格拉齐奥斯 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;杨立 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种在半导体器件中集成电容器的方法包括：提供用于半导体器件的引线框，该引线框包括一个或多个导电区域；在该导电区域或多个导电区域上形成介电层；在介电层上形成导电层，因而形成包括被层夹在导电区域与导电层之间的介电层的一个或多个电容器；以及通过在半导体裸片与导电层之间提供电接触而将半导体裸片布置到引线框上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成 电容器 方法 对应 器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成电容器，其中形成所述电容器包括：在引线框的导电区域上形成介电层，以及在所述介电层上形成导电层，其中形成所述导电层包括在所述导电区域与所述导电层之间层夹所述介电层，以及将半导体裸片布置到所述引线框上并且将所述半导体裸片电连接到所述导电层。
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