[发明专利]在半导体器件中集成电容器的方法及对应器件

权利要求书

1.一种用于集成电容器的方法，包括：

形成电容器，其中形成所述电容器包括：

在引线框的导电区域上形成介电层，以及

在所述介电层上形成导电层，其中形成所述导电层包括在所述导电区域与所述导电层之间层夹所述介电层，

将半导体裸片布置到所述引线框上并且将所述半导体裸片电连接到所述导电层，其中将所述半导体裸片电连接到所述导电层包括在所述半导体裸片上形成导电凸块，以及

在烧结或固化所述导电层时回流所述导电凸块。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述介电层包括网印或喷印。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述导电层包括通过网印提供所述导电层。

4.根据权利要求1所述的方法，包括从以下中选择所述导电区域：

所述引线框的中央区域，以及

所述引线框的周边区域，其中层夹所述介电层包括在所选择的导电区域与所述导电层之间层夹所述介电层。

5.根据权利要求1所述的方法，包括：

选择所述导电区域作为所述引线框的周边区域，以及

i)连接所述引线框的所述周边区域至接地，和/或

ii)在所述周边区域与所述引线框的中央区域之间提供电绝缘。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电区域是所述引线框的凹进区域，所述凹进区域容纳所述介电层和所述导电层。

7.根据权利要求1所述的方法，包括将电绝缘层模制到被布置到所述引线框上的所述半导体裸片上。

8.一种半导体器件，包括：

引线框，包括导电区域，

介电层，形成在所述导电区域上，

导电层，形成在所述介电层上，所述介电层被层夹在所述导电区域与所述导电层之间，所述导电区域、介电区域以及导电层形成集成在所述器件中的电容器，

半导体裸片，被布置到所述引线框上并且被电连接到所述导电层，以及

与所述半导体裸片和所述导电层接触的至少一个导电凸块，其中所述至少一个导电凸块形成在所述半导体裸片上，并且在所述导电层被烧结或固化时，所述导电凸块被回流。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述导电区域是所述引线框的中央区域。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述导电区域是所述引线框的周边区域，所述半导体器件进一步包括：

在所述引线框的中央区域与所述周边区域之间的电绝缘。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述导电区域是所述引线框的凹进区域，所述凹进区域容纳所述介电层和所述导电层。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，进一步包括被模制到所述半导体裸片上的电绝缘层。

13.一种用于集成电容器的方法，包括：

形成电容器，其中形成所述电容器包括：

在引线框的导电区域上形成介电层，以及

在所述介电层上形成导电层，其中形成所述导电层包括在所述导电区域与所述导电层之间层夹所述介电层；

在形成所述电容器之后，将半导体裸片布置到所述引线框上；以及

将所述半导体裸片电连接到所述导电层，其中将所述半导体裸片电连接到所述导电层包括形成与所述半导体裸片和所述导电层接触的至少一个凸块。

14.根据权利要求13的方法，其中：

形成所述介电层包括将所述介电层直接印刷到所述引线框的所述导电区域上；并且

形成所述导电层包括将所述导电层直接印刷到所述介电层上。

15.根据权利要求13所述的方法，其中将所述半导体裸片布置到所述引线框上包括将所述半导体裸片放置为与处于未烧结或未固化状态的所述导电层电接触，并且所述方法进一步包括烧结或固化所述导电层。