[发明专利]一种提高CVD法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法在审

专利信息
申请号: 201610829162.5 申请日: 2016-09-18
公开(公告)号: CN106435519A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 马捷;黄新壮;魏建忠;王元元 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C23C16/14 分类号: C23C16/14;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/04
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种提高CVD法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法,属于涂层的制备方法领域。方法包括:将长管基体加热到实验温度并通入氢气,保温30~60分钟,沉积过程中保持长管基体以1~20转/分钟旋转,然后按比例通入六氟化钨气体;沉积进行到一半时间时通过改变阀门的开关从而改变混合气体在长管基体内的通入方向,将长管基体内的出气端变为气体的进气端,进气端变为出气端,反应完成后即可得到厚度均匀的钨涂层。通过本方法制备出的钨涂层厚度均匀性提高,较相同条件下自然沉积出的钨涂层厚度差降低34.1%,相同厚度钨涂层的覆盖长度增加,故本操作方法有操作简单、便捷、投资较省、价廉易得等特点。
搜索关键词: 一种 提高 cvd 内壁 制备 涂层 均匀 方法
【主权项】:
一种提高CVD法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法,其特征在于,采用的设备是电机和带轮带动长管基体转动,长管基体置于加热炉中,但长管的两端在加热炉外,左端和右端分别与一个三通管结构装置联通,左端三通管结构装置的另外两个端口中,一个端口与气体进口连接,另一个端口与气体出口连接;右端三通管结构装置的另外两个端口中,一个端口与气体进口连接,另一个端口与气体出口连接,与进气口和出气口连接的三通管结构装置管路中均设有阀门;具体步骤如下:将长管基体加热到实验温度并通入氢气,保温30~60分钟,沉积过程中保持长管基体以1~20转/分钟旋转,然后按比例通入六氟化钨气体;沉积进行到一半时间时通过改变阀门的开关从而改变混合气体在长管基体内的通入方向,将长管基体内的出气端变为气体的进气端,进气端变为出气端,反应完成后即可得到厚度均匀的钨涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610829162.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top