[发明专利]N-型醌式二噻吩场效应半导体材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610824462.4 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107814813B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 朱晓张;任龙斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C07D519/00 | 分类号： | C07D519/00;H01L51/00;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞;牛艳玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于醌式二噻吩结构的通式(I)、(II)、或(III)化合物及其制备方法和作为半导体材料的应用。该类半导体材料可通过简单的化学修饰进行改性，具有良好的柔韧性，加工方式简约，器件成本降低等优势。在制备大规模集成电路，柔性显示器件和电子纸等方面具有很大的应用价值。 |
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| 搜索关键词： | 型醌式二 噻吩 场效应 半导体材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种化合物，其结构为如下通式(I)、(II)或(III)所示醌式二噻吩衍生物：其中，X相同或不同，独立的选自：‑O‑，‑S‑，‑Se‑，‑Te‑；R1、R2、R3、R4、R5、R6相同或不同，独立的选自：氢、卤素、C1‑18烷基、C1‑18烷氧基、‑(O‑(CH2)n‑O)mH、‑COO‑R7、‑CO‑R8、芳基，其中，n、m独立的为1‑8的整数；上述R1、R2、R3、R4、R5、R6基团中所述的C1‑18烷基、C1‑18烷氧基、芳基任选被一个或多个取代基取代，所述取代基独立的选自：C1‑18烷基、C1‑18烷氧基、硝基、氰基、卤素、卤C1‑18烷基、卤C1‑18烷氧基。
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