[发明专利]N-型醌式二噻吩场效应半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种化合物，其结构为如下通式(I)、(II)或(III)所示醌式二噻吩衍生物：

其中，X相同或不同，独立的选自：-O-，-S-，-Se-，-Te-；

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶相同或不同，独立的选自：氢、卤素、C_1-18烷基、C_1-18烷氧基、-(O-(CH₂)_n-O)_mH，其中，n、m独立的为1-8的整数；上述R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶基团中所述的C_1-18烷基、C_1-18烷氧基任选被一个或多个取代基取代，所述取代基独立的选自：C_1-18烷基、C_1-18烷氧基、硝基、氰基、卤素、卤代C_1-18烷基、卤代C_1-18烷氧基。

2.如权利要求1所述的化合物，其中，X为-S-。

3.如权利要求1所述的化合物，其中，所述通式(I)、(II)或(III)化合物选自如下具体化合物：

4.一种权利要求1-2任一项所述的化合物的制备方法，包括以下步骤：

其中，R’为卤素，R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶相同或不同，如权利要求1-2任一项所定义；

1)将通式(A)、(B)或(C)化合物分别与强碱、CNCH₂CN、和催化剂进行反应；

2)将步骤1)中得到的各个产物在酸性条件下与氧化剂混合，分别得到通式(I)、(II)或(III)化合物。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述氧化剂为二氯二氰基苯醌(DDQ)。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述强碱为氢化钠，所述催化剂为四(三苯基膦)钯催化剂。