[发明专利]反应性热处理设备在审
申请号: | 201610823220.3 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN107527970A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 黄庭辉 | 申请(专利权)人: | 上银光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;C23C14/58 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 中国台湾苗栗*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种反应性热处理设备,适于处理一薄膜装置,该反应性热处理设备包括一炉管。炉管沿着一方向延伸,具有一第一端与一第二端,该炉管还包括一高温部、一低温部及一阀门。高温部靠近该第二端,用以摆放薄膜装置。低温部靠近该第一端,具有一气密结构。阀门设置于该第一端。其特征在于,该低温部的一内侧壁具有一凹陷部,此凹陷部与该高温部的一内侧壁形成一段差。本发明的有益效果是,可避免冷凝的液态硒回流高温区,维持硒反应的稳定性,提高薄膜装置加工的良率。 | ||
搜索关键词: | 反应 热处理 设备 | ||
【主权项】:
一种反应性热处理设备,适于处理一薄膜装置,该反应性热处理设备包括:一炉管,沿着一方向延伸,具有一第一端与一第二端,该炉管还包括:一高温部,靠近该第二端,用于摆放该薄膜装置;一低温部,靠近该第一端,具有一气密结构;及一阀门,设置于该第一端;其特征在于,该低温部的一内侧壁具有一凹陷部,此凹陷部与该高温部的一内侧壁形成一段差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上银光电股份有限公司,未经上银光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610823220.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的