[发明专利]一种氮掺杂超晶格金属氧化物薄膜材料的制备方法有效
申请号: | 201610821668.1 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN106229384B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 方泽波;刘士彦;杨天波 | 申请(专利权)人: | 绍兴文理学院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮掺杂超晶格金属氧化物薄膜材料的制备方法,其步骤如下步骤1,选用单晶硅基片作为衬底,进行采用中性洗涤剂表面清洗;步骤2,将单晶硅基片浸泡至碱液中,然后超声震荡清洗;步骤3,配置金属氧化物溶胶;步骤4,将配置好的金属氧化物溶胶滴加至衬底上,进行旋转涂抹法,均匀涂胶后得到金属湿膜;步骤5,采用梯度升温法,得到金属干膜;步骤6,将金属干膜浸泡至氨水溶液中进行加压曝气反应;步骤7,将氮化金属膜烘干后进行退火处理,自然冷却后得到薄膜材料。本发明采用碱液钝化衬底能够大大增加衬底表面粗糙度,提高金属氧化物薄膜的粘附效果,有利于形成自然超晶格结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 晶格 金属 氧化物 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氮掺杂超晶格金属氧化物薄膜材料的制备方法,其特征在于,其步骤如下:步骤1,选用单晶硅基片作为衬底,进行采用中性洗涤剂表面清洗;步骤2,将单晶硅基片浸泡至碱液中,然后取出,超声震荡清洗,自然晾干;步骤3,配置金属氧化物溶胶;步骤4,将配置好的金属氧化物溶胶滴加至衬底上,进行旋转涂抹法,均匀涂胶后得到金属氧化物湿膜;步骤5,采用梯度升温法,持续干燥,得到金属氧化物干膜;步骤6,将金属氧化物干膜浸泡至氨水溶液中进行加压曝气反应,得到氮化金属氧化物膜;步骤7,将氮化金属氧化物膜烘干后进行退火处理,自然冷却后得到薄膜材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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