[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610817754.5 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107819034B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 冉晓雯;彭少甫;徐振航 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;丛芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管及其制造方法，该制造晶体管的方法包含：形成包含第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层的堆叠结构于基材上；对第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层进行图案化，以形成贯穿第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层的至少一个开口；形成半导体层于第二绝缘层上方，且填充开口；移除半导体层位于第二绝缘层上方的部分，其中半导体层残留在开口内的部分形成至少一个半导体通道；以及形成第三导电层于半导体通道上方。本发明制造的晶体管具有更高的载子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，包含：第一电极；第一绝缘层，位于所述第一电极上方；第二电极，位于所述第一绝缘层上方；第二绝缘层，位于所述第二电极上方；半导体通道层，由所述第一电极向上延伸贯穿所述第一绝缘层、所述第二电极和所述第二绝缘层；以及第三电极，位于所述第二绝缘层上方，且接触所述半导体通道层的顶面。
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