[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包含：

第一电极；

第一绝缘层，位于所述第一电极上方；

第二电极，位于所述第一绝缘层上方；

第二绝缘层，位于所述第二电极上方；

高分子半导体通道层，由所述第一电极向上延伸贯穿所述第一绝缘层、所述第二电极和所述第二绝缘层，其中所述高分子半导体通道层具有面上排列取向；以及

第三电极，位于所述第二绝缘层上方，且接触所述高分子半导体通道层的顶面。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述高分子半导体通道层的一个侧壁接触所述第一绝缘层、所述第二电极以及所述第二绝缘层，其中所述高分子半导体通道层具有米勒指数(010)的晶面。

3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第三电极包含电洞注入层以及位于所述电洞注入层上的金属层，其中所述电洞注入层接触所述高分子半导体通道层的所述顶面。

4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层包含聚合物绝缘层以及硬遮罩层，所述聚合物绝缘层接触所述第二电极，且所述硬遮罩层位于所述聚合物绝缘层上。

5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述高分子半导体通道层的高度实质上等于所述第一绝缘层、所述第二电极以及所述第二绝缘层的厚度总和。

6.一种制造晶体管的方法，其特征在于，包含：

依序堆叠形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层于基材上；

图案化所述第一绝缘层、所述第二导电层以及所述第二绝缘层，以形成贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层以及所述第二绝缘层的开口；

形成高分子半导体层于所述第二绝缘层上方，且填充所述开口，其中所述高分子半导体层包含填充所述开口的第一部分以及位在所述第二绝缘层上方的第二部分，且所述第一部分具有面上排列取向，所述第二部分具有边上排列取向；

移除所述高分子半导体层的所述第二部分，其中所述高分子半导体层残留在所述开口内的所述第一部分形成半导体通道；以及

形成第三导电层于所述半导体通道上方。

7.如权利要求6所述的制造晶体管的方法，其特征在于，形成所述第三导电层于所述半导体通道上方的步骤包含：

形成电洞注入层于所述半导体通道上；以及

形成金属层于所述电洞注入层上。

8.如权利要求6所述的制造晶体管的方法，其特征在于，图案化所述第一绝缘层、所述第二导电层以及所述第二绝缘层的步骤包含：

配置多个颗粒于所述第二绝缘层上；

沉积遮罩层覆盖所述多个颗粒和所述第二绝缘层；

移除所述多个颗粒以及位于所述多个颗粒上的所述遮罩层的部分，而在所述第二绝缘层上形成图案化遮罩层，其中所述图案化遮罩层具有多个孔隙暴露出所述第二绝缘层的一部分：以及

利用所述图案化遮罩层中的所述多个孔隙，依序蚀刻所述第二绝缘层、所述第二导电层以及所述第一绝缘层，以形成贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层以及所述第二绝缘层的所述开口。

9.如权利要求8所述的制造晶体管的方法，其特征在于，依序蚀刻所述第二绝缘层、所述第二导电层以及所述第一绝缘层的步骤包含：

使用干式蚀刻工艺蚀刻所述第二绝缘层；

使用湿式蚀刻工艺蚀刻所述第二导电层：以及

使用干式蚀刻工艺蚀刻所述第一绝缘层。

10.如权利要求6所述的制造晶体管的方法，其特征在于，所述第一部分具有米勒指数(010)的晶面，所述第二部分具有米勒指数(100)的晶面。