[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610812784.7 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN107808901B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 林勃劦;黄奕泉;赖思豪;陈明志 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/336;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括半导体主体、第一掺杂区、第二掺杂区、栅极以及介电层。半导体主体配置于介电基底上，且具有突出部分、第一部分与第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分分别配置于所述突出部分的相对两侧。第一掺杂区配置于所述突出部分的顶部中。第二掺杂区配置于所述第一部分的远离所述突出部分的末端中。栅极配置于所述第一部分上且邻近所述突出部分。介电层配置于所述栅极与所述突出部分之间以及所述栅极与所述第一部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：半导体主体，配置于介电基底上，且具有突出部分、第一部分与第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分分别配置于所述突出部分的相对两侧；第一掺杂区，配置于所述突出部分的顶部中；第二掺杂区，配置于所述第一部分的远离所述突出部分的末端中；栅极，配置于所述第一部分上且邻近所述突出部分；以及介电层，配置于所述栅极与所述突出部分之间以及所述栅极与所述第一部分之间。
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