[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

半导体主体，配置于介电基底上，且具有突出部分、第一部分与第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分分别配置于所述突出部分的相对两侧；

第一掺杂区，配置于所述突出部分的顶部中；

第二掺杂区，仅配置于所述第一部分的远离所述突出部分的末端中；

栅极，仅配置于所述第一部分上且邻近所述突出部分；以及

介电层，配置于所述栅极与所述突出部分之间以及所述栅极与所述第一部分之间；

其中，该第一掺杂区与该第二掺杂区具有相同的掺杂类型和相同的浓度。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述第一部分的顶面高度不高于所述第二部分的顶面高度。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述栅极的顶面高度不高于所述第一掺杂区的底面高度。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述突出部分的宽度介于所述半导体元件的通道长度的1/4至1/3之间。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述第二部分的顶面高度不高于所述栅极的中央部分的高度。

6.一种半导体元件，包括：

第一半导体结构，配置于介电基底上；以及

第二半导体结构，配置于介电基底上，且与所述第一半导体结构对称设置，

其中所述第一半导体结构与所述第二半导体结构各自包括：

半导体主体，配置于介电基底上，且具有突出部分、第一部分与第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分分别配置于所述突出部分的相对两侧；

第一掺杂区，配置于所述突出部分的顶部中；

第二掺杂区，仅配置于所述第一部分的远离所述突出部分的末端中；

栅极，仅配置于所述第一部分上且邻近所述突出部分；以及

介电层，配置于所述栅极与所述突出部分之间以及所述栅极与所述第一部分之间；

其中，该第一掺杂区与该第二掺杂区具有相同的掺杂类型和相同的浓度。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中所述第一部分的顶面高度不高于所述第二部分的顶面高度。

8.如权利要求6所述的半导体元件，其中所述栅极的顶面高度不高于所述第一掺杂区的底面高度。

9.如权利要求6所述的半导体元件，其中在所述第一半导体结构与所述第二半导体结构中，所述突出部分的宽度介于通道长度的1/4至1/3之间。

10.如权利要求6所述的半导体元件，其中所述第二部分的顶面高度不高于所述栅极的中央部分的高度。

11.一种半导体元件的制造方法，包括：

在介电基底上形成半导体层；

在所述半导体层中形成第一沟槽与第二沟槽，其中所述第二沟槽位于所述第一沟槽下方，且所述第二沟槽暴露出部分所述介电基底，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；

在所述第一沟槽与所述第二沟槽中形成第一介电层；

移除所述第一沟槽的两侧处的部分所述半导体层，以形成分别位于所述第一沟槽的两侧处的两个半导体主体，每一个所述半导体主体包括突出部分、第一部分与第二部分，其中所述突出部分邻近所述第一沟槽，所述第一部分与所述第二部分分别配置于所述突出部分的相对两侧，且所述第一部分远离所述第一沟槽；

形成第二介电层，以覆盖所述半导体主体；

在每一个所述半导体主体的所述第一部分上形成导体层，其中所述导体层邻近所述突出部分；以及

在所述突出部分的顶部中形成第一掺杂区以及在所述第一部分的远离所述突出部分的末端中形成第二掺杂区，其中所述第二介电层位于所述导体层与所述突出部分之间。

12.如权利要求11所述的半导体元件的制造方法，其中位于所述第一沟槽的顶部周围的所述第一掺杂区的底部不低于所述导体层的顶部表面。