[发明专利]一种立式氢化物气相外延生长系统在审
| 申请号： | 201610810916.2 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106381523A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 修向前;张荣;华雪梅;谢自力;陈鹏;刘斌;周玉刚;韩平;施毅;顾书林;胡立群;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/10;C30B25/14 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底、真空装置和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区，其特征是反应腔体为立式结构，反应腔体内生长区高度1～10cm，反应腔体由腔体管和多支气体导管组成，反应源气体和负载气体的气体导管位于腔体管的上部入口部份向下延伸，用于将反应气体送至生长区的石墨支托上的外延生长衬底处，真空装置的吸入口接反应腔体一个出口，使反应腔体内保持0.1‑1个大气压；腔体内2‑3种反应源气体进气气体导管采用非同轴结构分布于腔体管的中心轴线两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立式 氢化物 外延 生长 系统 | ||
【主权项】：
一种立式氢化物气相外延生长系统，其特征是包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底、真空装置和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区，其特征是反应腔体为立式结构，反应腔体内生长区高度1～10cm，反应腔体由腔体管和多支气体导管组成，反应源气体和负载气体的气体导管位于腔体管的上部入口部份向下延伸，用于将反应气体送至生长区的石墨支托上的外延生长衬底处，真空装置的吸入口接反应腔体一个出口，使反应腔体内保持0.1‑1个大气压；腔体内2‑3种反应源气体进气气体导管采用非同轴结构分布于腔体管的中心轴线两侧。
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