[发明专利]一种提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法

摘要

一种提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法，包括以下步骤：利用石墨压制成带有凹槽的晶片载盘胚体，将胚体经烧结制成晶片载盘，在晶片载盘受热时的低温区的凹槽的立面上固定凸起或蚀刻凹痕，在晶片载盘表面上沉积保护膜。在晶片载盘受热时温度低于其它区域的凹槽的里面上固定凸起或蚀刻凹痕能够提高凹槽内表面的粗糙度，进而提高凹槽立面热发射率，使得低温区凹槽温度提高，进而提高整体温度均匀性。

主权项

1.一种提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法，包括以下步骤：利用石墨压制成带有凹槽的晶片载盘胚体，将胚体经烧结制成晶片载盘，其特征在于，在晶片载盘受热时的低温区的凹槽的立面上蚀刻凹痕，在晶片载盘表面上沉积保护膜；所述在凹槽立面上蚀刻凹痕，为对凹槽立面进行喷砂处理；所述喷砂处理，采用刚玉作为喷砂介质，刚玉目数为80‑100目，所用气压在0.6‑0.8MPa范围内，喷砂距离在12‑15cm范围内，喷射角度以凹槽立面为基准，喷射方向与立面之间的夹角在60°‑75°范围内。