[发明专利]一种硅基MEMS微纳通孔结构的制作方法在审
| 申请号： | 201610786575.X | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106335871A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 焦海龙;赵广宏;李文博;金小锋;张世名;邹江波 | 申请（专利权）人： | 北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心11009 | 代理人： | 范晓毅 |
| 地址： | 100076 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅基MEMS微纳通孔结构的制作方法，涉及一种硅通孔结构的实现方法领域；在硅衬底材料的正面沉积二氧化硅薄膜并进行通孔图形转移，在硅衬底材料的背面沉积金属薄膜层和涂覆光刻胶薄膜层；二氧化硅薄膜的通孔图形转移采用三氟甲烷RIE干法刻蚀的方法；硅干法刻蚀的前处理步骤包括氧气RIE刻蚀清洗和三氟甲烷RIE干法刻蚀清洗，然后再进行硅的干法深刻蚀；克服现有干法刻蚀(DRIE或ICP)实现硅微纳通孔结构方法的步骤繁杂、效率低、一致性和稳定性差等不足，提出一种新颖的硅通孔结构干法刻蚀微纳实现方法，极大地提高硅通孔结构微纳实现效率的同时也提高了制造精度、一致性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 微纳通孔 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基MEMS微纳通孔结构的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤(一)、在硅晶圆基片(001)的上表面生长一层二氧化硅薄膜层(101)，在硅晶圆基片(001)的下表面沉积一层金属薄膜层(102)；步骤(二)、在二氧化硅薄膜层(101)上表面进行通孔结构光刻图像转移，形成具有通孔图形结构的光刻胶薄膜层(201)；步骤(三)、以光刻胶薄膜层(201)作为抗刻蚀掩模层，采用三氟甲烷RIE干法刻蚀微纳制造工艺，将光刻胶薄膜层(201)的通孔图像转移至二氧化硅薄膜层(101)，形成通孔图形化的二氧化硅薄膜层(101)；步骤(四)、去除光刻胶薄膜层(201)；步骤(五)、在金属薄膜层(102)下表面涂覆一层光刻胶薄膜层(103)；步骤(六)、以通孔图形化的二氧化硅薄膜层(101)作为抗干法刻蚀硅的掩模层，以金属薄膜层(102)和光刻胶薄膜层(103)组成的复合膜作为通孔结构背部保护层，制作硅晶圆基片(001)的硅通孔结构；步骤(七)、采用湿法腐蚀方法依次去除光刻胶薄膜层(103)、金属薄膜层(102)和二氧化硅薄膜层(101)，最终形成通孔结构(001)。
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