[发明专利]太阳能电池硅片的等离子增强化学气相沉积法有效
| 申请号： | 201610783481.7 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106282965B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 葛竖坚;翟贝贝;魏晓波;何长春;张文锋 | 申请（专利权）人： | 东方日升新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) 33261 | 代理人： | 骆文军 |
| 地址： | 315600 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种太阳能电池硅片的等离子增强化学气相沉积法，它包括以下步骤：a、将硅片放置在PECVD真空炉中，通入氮气吹扫后抽真空到0个大气压；b、第一次沉积：通入NH3和SiH4，NH3的流量为350～550SCCM，NH3:SiH4＝1:2.5～5.5，反应时间为1.5～4分钟，反应时的压力为1200～1800Pa；c、第二沉积：将NH3的流量增大到650～850SCCM，NH3:SiH4＝1:8.2～10.8，反应时间为8～12分钟，反应时的压力为1500～2000Pa；d、停止脉冲，后冷却到室温即可；与现有技术相比，本发明具有制备的SiN薄膜均匀性较好及可使得产品的性能稳定性较好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子增强化学气相沉积法 太阳能电池硅片 反应时 沉积 薄膜均匀性 性能稳定性 氮气吹扫 硅片放置 流量增大 抽真空 后冷却 真空炉 脉冲 制备 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池硅片的等离子增强化学气相沉积法，其特征在于：它包括以下步骤：a、将硅片放置在PECVD真空炉中，通入氮气吹扫后抽真空到0个大气压；b、第一次沉积：通入NH3和SiH4，NH3的流量为350～550SCCM，NH3:SiH4＝1:2.5～5.5，反应时间为1.5～4分钟，反应时的压力为1200～1800Pa，脉冲的频率为400～800Hz，功率为6000～8000W；c、第二沉积：将NH3的流量增大到650～850SCCM，NH3:SiH4＝1:8.2～10.8，反应时间为8～12分钟，反应时的压力为1500～2000Pa，脉冲的频率为400～800Hz，功率为7000～9000W；整个SiN薄膜的厚度控制在0.8～1.2μm；d、停止脉冲，后冷却到室温即可。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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