[发明专利]太阳能电池硅片的等离子增强化学气相沉积法

说明书

一种太阳能电池硅片的等离子增强化学气相沉积法，它包括以下步骤：a、将硅片放置在PECVD真空炉中，通入氮气吹扫后抽真空到0个大气压；b、第一次沉积：通入NH₃和SiH₄，NH₃的流量为350～550SCCM，NH₃:SiH₄＝1:2.5～5.5，反应时间为1.5～4分钟，反应时的压力为1200～1800Pa；c、第二沉积：将NH₃的流量增大到650～850SCCM，NH₃:SiH₄＝1:8.2～10.8，反应时间为8～12分钟，反应时的压力为1500～2000Pa；d、停止脉冲，后冷却到室温即可；与现有技术相比，本发明具有制备的SiN薄膜均匀性较好及可使得产品的性能稳定性较好的特点。

技术领域

本发明属于太阳能电池制备技术领域，特别是涉及一种太阳能电池硅片的等离子增强化学气相沉积法。

背景技术

太阳能电池片的生产工艺比较复杂，简单说来，目前的太阳能电池片的生产过程主要包括：制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷和烧结等。而镀膜就是采用化学气相沉积法来实现的，目前均是采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)--等离子体增强化学气相沉积法来镀膜的，是制作太阳能电池片的一个重要环节。

现有技术的太阳能电池硅片的等离子增强化学气相沉积法(PECVD)是在聚酰亚胺上沉积SiN薄膜通常在低温200～300℃下沉积，使用的反应气体为NH₃和SiH₄在保护气氛下，高频放电使得NH₃和SiH₄反应产生SiN薄膜沉积在硅片上形成减反射膜。但现有技术的PECVD中两次沉积的NH₃:SiH₄是不变的，使得制备的SiN薄膜均匀性较差，进而导致产品的使用稳定性较差。

发明内容

本发明针对以上问题提供一种制备的SiN薄膜均匀性较好及可使得产品的性能稳定性较好的太阳能电池硅片的等离子增强化学气相沉积法。

本发明解决以上问题所用的技术方案是：提供一种太阳能电池硅片的等离子增强化学气相沉积法，它包括以下步骤：

a、将硅片放置在PECVD真空炉中，通入氮气吹扫后抽真空到0个大气压；

b、第一次沉积：通入NH₃和SiH₄，NH₃的流量为350～550SCCM，NH₃:SiH₄＝1:2.5～5.5，反应时间为1.5～4分钟，反应时的压力为1200～1800Pa，脉冲的频率为400～800Hz，功率为6000～8000W；

c、第二沉积：将NH₃的流量增大到650～850SCCM，NH₃:SiH₄＝1:8.2～10.8，反应时间为8～12分钟，反应时的压力为1500～2000Pa，脉冲的频率为400～800Hz，功率为7000～9000W；

d、停止脉冲，后冷却到室温即可。

作为优选，所述步骤b中NH3的流量为400～500SCCM，NH3:SiH4＝1:3～4，反应时间为2～3分钟，反应时的压力为1500～1700Pa，脉冲的频率为500～700Hz，功率为7000～7800W。

作为更优选，所述NH3的流量为450SCCM，NH3:SiH4＝1:3.5，反应时间为2.5分钟，反应时的压力为1600Pa，脉冲的频率为600Hz，功率为7400W。