[发明专利]一种TFT‑LCD制造工艺中的双面刻蚀方法在审
| 申请号： | 201610757778.6 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106292031A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 洪朝满 | 申请（专利权）人： | 红河凯立特科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G02F1/13;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 史明罡 |
| 地址： | 661100 云南省红河哈尼族彝族*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种TFT‑LCD制造工艺中的双面刻蚀方法。本发明方法包括如下步骤：(1)在基片两侧的面板上分别制备功能电极层；(2)在步骤(1)所制备的功能电极层上分别制备所需形状的抗蚀剂层；(3)将步骤(2)所得基片两侧的功能电极层同时进行刻蚀处理；(4)将步骤(3)所得刻蚀后的基片上的所需形状的抗蚀剂层去除，得到两侧分别具有所需形状功能电极的基片。本发明方法工艺简单，通过将基片两侧的功能电极层同时进行刻蚀处理，得到所需形状的功能电极，免去了传统工艺中对基片两侧的功能电极层需分别进行一次刻蚀及后续工艺的繁琐步骤，极大地节省了基片两侧都具有功能电极的TFT‑LCD的生产时间，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft lcd 制造 工艺 中的 双面 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD制造工艺中的双面刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在基片两侧的面板上分别制备功能电极层；(2)在步骤(1)所制备的功能电极层上分别制备所需形状的抗蚀剂层；(3)将步骤(2)所得基片两侧的功能电极层同时进行刻蚀处理；(4)将步骤(3)所得刻蚀后的基片上的所需形状的抗蚀剂层去除，得到两侧分别具有所需形状功能电极的基片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于红河凯立特科技有限公司，未经红河凯立特科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610757778.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
