[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610754909.5 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107123598A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 萧茹雄;吴启明;郑志成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 鳍式场效应晶体管(FinFET)包括半导体衬底、多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。半导体衬底包括位于半导体衬底上的至少一个半导体鳍。半导体鳍包括源极/漏极区和沟道区，并且源极/漏极区的宽度大于沟道区的宽度。绝缘体设置在半导体衬底上并且绝缘体将半导体鳍夹在绝缘体中间。栅极堆叠件位于半导体鳍的沟道区上方和部分绝缘体上方。应变材料覆盖半导体鳍的源极/漏极区。此外，提供了用于制造FinFET的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：图案化半导体衬底以在所述半导体衬底中形成多个沟槽并且在所述沟槽之间形成至少一个半导体鳍；在所述沟槽中形成多个绝缘体；在部分所述半导体鳍上方和部分所述绝缘体上方形成伪栅极堆叠件；在由所述伪栅极堆叠件暴露的部分所述半导体鳍上方形成应变材料；去除部分所述伪栅极堆叠件以形成暴露部分所述半导体鳍的凹部；去除位于所述凹部中的部分所述半导体鳍；以及在所述凹部中形成栅极介电材料并且填充栅极材料以形成栅极堆叠件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
