[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：

图案化半导体衬底以在所述半导体衬底中形成多个沟槽并且在所述沟槽之间形成至少一个半导体鳍；

在所述沟槽中形成多个绝缘体；

在部分所述半导体鳍上方和部分所述绝缘体上方形成伪栅极堆叠件；

在由所述伪栅极堆叠件暴露的部分所述半导体鳍上方形成应变材料；

去除部分所述伪栅极堆叠件以形成暴露部分所述半导体鳍的凹部；

去除位于所述凹部中的部分所述半导体鳍；以及

在所述凹部中形成栅极介电材料并且填充栅极材料以形成栅极堆叠件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述伪栅极堆叠件包括伪栅极、伪栅极介电层和多个间隔件，并且去除部分所述伪栅极堆叠件的步骤和去除位于所述凹部中的部分所述半导体鳍的步骤包括：

去除所述伪栅极；

去除所述伪栅极介电层以暴露所述半导体鳍；

对暴露的半导体鳍实施氧化处理以形成牺牲氧化物层；以及

去除所述牺牲氧化物层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

去除所述伪栅极介电层的步骤包括实施湿蚀刻工艺；以及

实施所述氧化处理的步骤包括传输含氧气体以氧化所述半导体鳍的表面。

4.根据权利要求2所述的方法，其中：

去除所述伪栅极介电层的步骤包括实施干蚀刻工艺；以及

实施所述氧化处理的步骤包括传输含氧气体以氧化所述半导体鳍的表面。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，去除所述伪栅极介电层的步骤和实施所述氧化处理的步骤是原位工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

去除由所述栅极堆叠件暴露的所述半导体鳍以形成所述半导体鳍的凹进部，并且将所述应变材料填充到所述凹进部以覆盖由所述伪栅极堆叠件暴露的所述半导体鳍。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述应变材料和所述绝缘体上方形成层间介电层，其中，所述层间介电层暴露所述伪栅极堆叠件。

8.一种制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：

图案化半导体衬底以在所述半导体衬底中形成多个沟槽并且在所述沟槽之间形成至少一个半导体鳍；

在所述沟槽中形成多个绝缘体；

在部分所述半导体鳍上方和部分所述绝缘体上方形成伪栅极堆叠件以暴露所述半导体鳍的源极/漏极区，其中，所述伪栅极堆叠件包括伪栅极、伪栅极介电层和多个间隔件；

在所述半导体鳍的所述源极/漏极区上方形成应变材料；

去除所述伪栅极和所述伪栅极介电层以暴露所述半导体鳍的沟道区；

去除所述半导体鳍的部分所述沟道区；以及

在所述半导体鳍的所述沟道区上方形成栅极介电材料和栅极材料以形成栅极堆叠件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，去除所述半导体鳍的部分所述沟道区的步骤包括：

对所述半导体鳍的所述沟道区实施氧化处理以形成牺牲氧化物层；以及

去除所述牺牲氧化物层。

10.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：

半导体衬底，包括位于所述半导体衬底上的至少一个半导体鳍，其中，所述半导体鳍包括源极/漏极区和沟道区，并且所述源极/漏极区的宽度大于所述沟道区的宽度；

多个绝缘体，设置在所述半导体衬底上，所述绝缘体将所述半导体鳍夹在中间；

栅极堆叠件，位于所述半导体鳍的所述沟道区上方和部分所述绝缘体上方；以及

应变材料，覆盖所述半导体鳍的所述源极/漏极区。