[发明专利]提高清洗均匀度的图形晶圆无损伤清洗装置有效
申请号: | 201610740339.4 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN106328561B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 滕宇;李伟;吴仪 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/12 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高清洗均匀度的图形晶圆无损伤清洗装置,在壳体密封腔内设有上下紧贴的超声波/兆声波发生机构和底部石英部件,底部石英部件包括相连的环状石英微共振腔保护圈和由多个垂直棒状石英结构组成的石英微共振腔阵列,环状石英微共振腔保护圈的凹槽下端由壳体下端面伸出,石英微共振腔阵列的下端面不高于凹槽的下端面,其各棒状石英结构的下端面之间具有不同的高度,可通过石英微共振腔阵列对传播方向与晶圆表面方向不垂直的超声波/兆声波能量进行选择性去除,并可使图形晶圆表面的超声波/兆声波能量均匀分布,实现在一定的清洗时间内,使整个图形晶圆范围内的任意区域都得到均匀、无损伤清洗的效果。 | ||
搜索关键词: | 提高 清洗 均匀 图形 晶圆无 损伤 装置 | ||
【主权项】:
1.一种提高清洗均匀度的图形晶圆无损伤清洗装置,其特征在于,包括:上、下壳体,其连接形成密封腔,所述密封腔在下壳体的下端面形成开口;超声波/兆声波发生机构,设于密封腔内,其上部和侧部与密封腔内壁之间具有间隙;底部石英部件,包括一形成向下开口凹槽的环状石英微共振腔保护圈,以及一个上端连接设于凹槽底部、下端为自由端的由多个垂直棒状石英结构组成的石英微共振腔阵列,所述环状石英微共振腔保护圈上部紧贴超声波/兆声波发生机构下部,其侧部与密封腔位于下壳体部分的内壁之间密封连接,其凹槽下端由下壳体下端面的开口伸出,所述石英微共振腔阵列的下端面不高于凹槽的下端面,其各棒状石英结构的下端面之间具有不同的高度;其中,所述装置连接控制其移动的喷淋臂,所述超声波/兆声波发生机构产生的超声波能量,依次经过环状石英微共振腔保护圈、石英微共振腔阵列向下传导,并经所述石英微共振腔阵列的选择性去除后,通过没入图形晶圆上清洗药液中的所述棒状石英结构的下端面垂直传导至图形晶圆表面,带动清洗药液振荡,以进行超声波/兆声波移动清洗,同时,在图形晶圆旋转过程中,通过具有不同高度下端面的各棒状石英结构,使图形晶圆表面任意位置的区域都经过不同高度石英微共振腔阵列的清洗,以使图形晶圆表面的超声波/兆声波能量均匀分布,实现在一定的清洗时间内,使整个图形晶圆范围内的任意区域都得到均匀的清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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