[发明专利]一种自对准光刻腐蚀制作存储器的方法有效
| 申请号： | 201610733780.X | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785484B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘少鹏;孟皓;刘波;李辉辉 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22;G11C11/02 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自对准光刻腐蚀制作存储器的方法，首先在金属层上淀积生长下电极，MTJ层和阻挡层，紧接着继续淀积牺牲氧化层和上电极，紧接着进行MTJ的光刻，并且刻蚀，刻蚀之后淀积保护层侧墙以进行保护，再进行刻蚀留下一定厚度的侧墙，再以侧墙进行硬掩模最对准，对下电极进行刻蚀，之后进行氧化层填充满，随后进行光刻显影并对牺牲氧化层进行刻蚀，然后再进行金属通孔填充工艺，之后再进行CMP化学机械剖光。本发明的方法使成本大大降低，大大的提高了器件的质量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 光刻 腐蚀 制作 存储器 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准光刻腐蚀制作存储器的方法，其特征在于，所述自对准光刻腐蚀制作存储器的方法包括：在衬底之上，依次淀积下电极、MTJ、阻挡层、牺牲氧化层、上电极；刻蚀出MTJ圆柱体，刻蚀停在下电极上面；在下电极上面、及MTJ圆柱体周围淀积保护层；进行保护层刻蚀，刻蚀出自对准侧墙；以自对准侧墙为依据，刻蚀下电极；在衬底之上填充满氧化层后进行CMP化学机械剖光；光刻显影，将要刻蚀的图形显露出来；以光刻胶作为掩膜，对牺牲氧化层进行刻蚀，形成通孔；对通孔进行金属填充后，再进行CMP化学机械剖光。
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