[发明专利]一种自对准光刻腐蚀制作存储器的方法有效
| 申请号： | 201610733780.X | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785484B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘少鹏;孟皓;刘波;李辉辉 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22;G11C11/02 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对准 光刻 腐蚀 制作 存储器 方法 | ||
1.一种自对准光刻腐蚀制作存储器的方法，其特征在于，所述自对准光刻腐蚀制作存储器的方法包括：
在衬底之上，依次淀积下电极、MTJ、阻挡层、牺牲氧化层、上电极；
刻蚀出MTJ圆柱体，刻蚀停在下电极上面；
在下电极上面、及MTJ圆柱体周围淀积保护层；
进行保护层刻蚀，刻蚀出自对准侧墙；
以自对准侧墙为依据，刻蚀下电极；
在衬底之上填充满氧化层后进行CMP化学机械剖光；
光刻显影，将要刻蚀的图形显露出来；
以光刻胶作为掩膜，对牺牲氧化层进行刻蚀，形成通孔；
对通孔进行金属填充后，再进行CMP化学机械剖光；
其中，所述牺牲氧化层厚度为1500～2000A。
2.根据权利要求1所述的自对准光刻腐蚀制作存储器的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层为SiO2。
3.根据权利要求1所述的自对准光刻腐蚀制作存储器的方法，其特征在于，所述上电极和下电极为导电材料，包括Ta、TaN、Ti、TiN、TaAlN和TiAlN中任一种。
4.根据权利要求1所述的自对准光刻腐蚀制作存储器的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括Ta、Ru、TaN、Ti、TiN中一种。
5.根据权利要求4所述的自对准光刻腐蚀制作存储器的方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为500～800A。
6.根据权利要求1所述的自对准光刻腐蚀制作存储器的方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅SIN。
7.根据权利要求6所述的自对准光刻腐蚀制作存储器的方法，其特征在于，所述在下电极上面、及MTJ圆柱体周围淀积的保护层厚度为200-400A。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司，未经中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610733780.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
