[发明专利]一种磁性随机存储器的制作方法

摘要

本发明公开了一种磁性随机存储器的制作方法，首先在金属层上淀积生长下电极，MTJ层和阻挡层，紧接着继续淀积牺牲氧化层和上电极，紧接着进行MTJ的光刻，并且刻蚀，刻蚀之后淀积保护层侧墙以进行保护，再进行刻蚀留下一定厚度的侧墙，再以侧墙进行硬掩模最对准，对下电极进行刻蚀，之后进行SIN填充满，并进行化学机械平坦化CMP，平坦化之后用湿法腐蚀的方法，具有选择性刻蚀掉牺牲氧化层，也是自对准的过程，然后再进行金属通孔填充工艺，之后再进行CMP化学机械剖光，最后以金属通孔为掩模进行SIN刻蚀，刻蚀到MTJ层的时候停止，再进行氧化层的填充。本发明的方法节省了四层光刻，使成本大大降低，大大的提高了器件的质量和可靠性。

主权项

一种磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底之上，依次淀积下电极、MTJ、阻挡层、牺牲氧化层、上电极；刻蚀出MTJ圆柱体，刻蚀停在下电极上面；在下电极上面、及MTJ圆柱体周围淀积保护层；进行保护层刻蚀，刻蚀出自对准侧墙；以自对准侧墙为依据，刻蚀下电极；在衬底之上填充保护层后进行CMP化学机械剖光；腐蚀掉牺牲氧化层；在腐蚀掉牺牲氧化层的孔中进行金属通孔填充，并进行CMP化学机械剖光；以金属通孔为硬掩膜，刻蚀保护层，停留在MTJ层上面；最后填充氧化层并进行CMP化学机械剖光。