[发明专利]一种磁性随机存储器的制作方法有效
| 申请号： | 201610725957.1 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785483B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘少鹏;孟皓;刘波;李辉辉 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L21/306 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 制作方法 | ||
1.一种磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底之上，依次淀积下电极、MTJ、阻挡层、牺牲氧化层、上电极；
刻蚀出MTJ圆柱体，刻蚀停在下电极上面；
在下电极上面、及MTJ圆柱体周围淀积保护层；
进行保护层刻蚀，刻蚀出自对准侧墙；
以自对准侧墙为依据，刻蚀下电极；
在衬底之上填充保护层后进行CMP化学机械剖光；
腐蚀掉牺牲氧化层；
在腐蚀掉牺牲氧化层的孔中进行金属通孔填充，并进行CMP化学机械剖光；
以金属通孔为硬掩膜，刻蚀保护层，停留在MTJ层上面；
最后填充氧化层并进行CMP化学机械剖光。
2.根据权利要求1所述的磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化层为SiO2。
3.根据权利要求2所述的磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化层厚度为1500～2000埃。
4.根据权利要求1所述的磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，所述上电极和下电极为导电材料，包括Ta、TaN、Ti、TiN、TaAlN和TiAlN中任一种。
5.根据权利要求1所述的磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括Ta、Ru、TaN、Ti、TiN中一种。
6.根据权利要求5所述的磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为500～800埃。
7.根据权利要求1所述的磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅SiN。
8.根据权利要求7所述的磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，所述在下电极上面、及MTJ圆柱体周围淀积的保护层厚度为200-400埃。
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