[发明专利]利用二次等离子体注入的等离子体蚀刻系统及方法有效
| 申请号： | 201610724716.5 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106486335B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | T·Q·特兰;S·朴;Z·翁;D·卢博米尔斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了利用二次等离子体注入的等离子体蚀刻系统及方法。一种等离子体处理装置包括：第一等离子体源；第一平面电极；气体分配设备；等离子体阻挡筛网；以及工件卡盘。所述第一等离子体源产生第一等离子体产物，所述第一等离子体产物从所述第一等离子体源离开，穿过所述第一平面电极中的第一孔隙。所述第一等离子体产物继续穿过所述气体分配设备中的第二孔隙。所述等离子体阻挡筛网包括具有第四孔隙的第三板，并且面对所述气体分配设备，使得所述第一等离子体产物穿过所述多个第四孔隙。所述工件卡盘面对所述等离子体阻挡筛网的第二侧，从而在所述等离子体阻挡筛网与所述工件卡盘之间限定工艺腔室。所述第四孔隙具有足够小的大小，以便阻挡所述工艺腔室中产生的等离子体到达所述气体分配设备。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 二次 等离子体 注入 蚀刻 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：第一等离子体源，所述第一等离子体源产生第一等离子体产物；第一平面电极，所述第一平面电极包括限定从其中穿过的多个第一孔隙的第一板，所述第一平面电极的第一侧设置为相对于所述第一等离子体源，使得所述第一等离子体产物从所述第一等离子体源离开，穿过所述多个第一孔隙到达所述第一平面电极的第二侧；气体分配设备，所述气体分配设备包括限定从其中穿过的多个第二孔隙的第二板，所述气体分配设备的第一侧设置为面对所述第一平面电极的第二侧，使得所述第一等离子体产物继续穿过所述多个第二孔隙到达所述气体分配设备的第二侧；等离子体阻挡筛网，所述等离子体阻挡筛网包括限定从其中穿过的多个第四孔隙的第三板，所述等离子体阻挡筛网的第一侧设置为面对所述气体分配设备的第二侧，使得所述第一等离子体产物穿过所述多个第四孔隙到达所述等离子体阻挡筛网的第二侧；以及卡盘，所述卡盘面对所述等离子体阻挡筛网的所述第二侧，所述等离子体阻挡筛网与所述卡盘在其间限定工艺腔室；其中所述第四孔隙具有足够小的大小，以便阻挡所述工艺腔室中产生的等离子体到达所述气体分配设备。
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