[发明专利]利用二次等离子体注入的等离子体蚀刻系统及方法有效
| 申请号： | 201610724716.5 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106486335B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | T·Q·特兰;S·朴;Z·翁;D·卢博米尔斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 二次 等离子体 注入 蚀刻 系统 方法 | ||
【说明书】：
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