[发明专利]碳化硅功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610719335.8 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785417A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 朱超群;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种碳化硅功率器件及其制造方法，该碳化硅功率器件通过在所述元胞区的外延区的上表面和所述终端区的外延层的上表面同时形成有位于同一平面上栅氧化层，而且所述栅氧化层的上表面有多个通过不完全刻蚀栅极材料层并对所述刻蚀后的栅极材料层进行热氧化后形成的相互隔离的栅极，通过热氧化所述刻蚀栅极材料层形成热氧化层，所述热氧化层覆盖在所述栅氧化层和栅极的上表面，使得不需要对栅氧化层进行刻蚀而造成损伤，同时消除了在形成绝缘介质层或热氧化层时与栅极之间形成的间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅功率器件，包括元胞区和环绕所述元胞区的终端区，所述元胞区包括多个并联的碳化硅功率器件元胞，其特征在于，所述元胞区的外延区的上表面和所述终端区的外延层的上表面同时形成有位于同一平面上的栅氧化层，所述栅氧化层的上表面有多个通过不完全刻蚀栅极材料层并对所述刻蚀后的栅极材料层进行热氧化后形成的相互隔离的栅极，所述栅氧化层和栅极的上表面覆盖有通过热氧化所述刻蚀栅极材料层形成的热氧化层。
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