[发明专利]一种去除冶金级硅中杂质的方法有效
| 申请号： | 201610706125.5 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106115717B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 雷云;马文会;谢克强;吕国强;伍继君;魏奎先;秦博;李绍元;刘战伟;于洁;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除冶金级硅中杂质的方法，属于硅提纯技术领域。首先将少量的添加剂（锆、铪、含锆合金或含铪合金）和工业硅同时进行熔炼，待物料完全熔化后冷却至室温，并研磨成小于186μm的硅粉，先后用王水、HF＋HCl混酸进行酸洗得到高纯硅。本发明不仅能有效去除硅提纯领域中最难去除的硼杂质，对其他杂质的去除也有明显的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 冶金 级硅中 杂质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除冶金级硅中杂质的方法，具体步骤如下：（1）将铪或含铪合金与工业硅同时在惰性气体氛围下进行熔炼，铪的量占总物料的摩尔百分数为0.1～10%；（2）将步骤（1）中完全熔化的硅熔体冷却至室温；（3）将步骤（2）得到的硅研磨成粉；（4）将步骤（3）得到的硅粉先后用王水、HF＋HCl混酸进行酸洗后得到高纯硅。
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