[发明专利]石墨烯膜球的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610670006.9 申请日: 2016-08-15
公开(公告)号: CN106323867B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 王华平;刘淑娓;马天宝;于贵;雒建斌 申请(专利权)人: 清华大学;中国科学院化学研究所
主分类号: G01N19/02 分类号: G01N19/02
代理公司: 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 代理人: 贾满意
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种石墨烯膜球的制备方法,包括:将氧化硅微球分散在基底表面,所述氧化硅微球在所述基底的表面为单层分布;将分散有氧化硅微球的基底放置进反应炉中;通入保护气体,排出反应炉中的空气;通入还原性气体并加热反应炉至反应温度;在保护气体及还原性气体的保护下,向反应炉通入碳源气体,经过预定反应时间,在氧化硅微球的表面直接生长石墨烯,形成石墨烯层。本发明提供的石墨烯膜球的制备方法工艺简单,且具有更长的使用寿命。
搜索关键词: 氧化硅微球 石墨烯膜 反应炉 还原性气体 保护气体 基底 制备 制备方法工艺 加热反应炉 基底表面 石墨烯层 使用寿命 碳源气体 直接生长 石墨烯 单层 排出
【主权项】:
1.一种石墨烯膜球的制备方法,包括:将氧化硅微球分散在基底表面,所述氧化硅微球在所述基底的表面为单层分布;将分散有氧化硅微球的基底放置进反应炉中;通入保护气体,排出反应炉中的空气;通入还原性气体并加热反应炉至反应温度;在保护气体及还原性气体的保护下,向反应炉通入碳源气体,经过预定反应时间,在氧化硅微球的表面直接生长石墨烯,形成石墨烯层;所述氧化硅微球的粒径为1微米至50微米,所述碳源气体、还原性气体和保护气体的流量比为3.0:50:50至7.0:50:50。
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