[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括器件区域和围绕器件区域的外围区域，器件区域和外围区域的基底中均形成有底层金属互连结构；在基底上形成介质层；在外围区域介质层内形成具有第一深度的第一凹槽；在器件区域介质层内形成具有第二深度的第二凹槽，且第二深度值大于第一深度值；刻蚀第二凹槽底部和侧壁的介质层以及第一凹槽底部的介质层，分别在器件区域和外围区域介质层内形成露出底层金属互连结构的第一开口和第二开口。本发明使第一凹槽的深度值小于第二凹槽的深度值，沿第一凹槽和第二凹槽进行刻蚀时，可以避免先在外围区域形成暴露出底层金属互连结构的第二开口的问题。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括器件区域和围绕所述器件区域的外围区域，所述器件区域基底和外围区域基底中均形成有底层金属互连结构；在所述基底上形成介质层；在所述外围区域介质层内形成第一凹槽，所述第一凹槽具有第一深度；在所述器件区域介质层内形成第二凹槽，所述第二凹槽具有第二深度，且所述第二深度值大于所述第一深度值；刻蚀所述第二凹槽底部和侧壁的介质层以及第一凹槽底部的介质层，在器件区域介质层内形成露出所述底层金属互连结构的第一开口，在外围区域介质层内形成露出所述底层金属互连结构的第二开口；向所述第一开口内填充导电材料，形成第一金属互连结构，向所述第二开口内填充导电材料，形成第二金属互连结构。