[发明专利]硅片及其制备方法及装置有效
| 申请号： | 201610652752.5 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106298991B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 黄强;金善明;郑雄久 | 申请（专利权）人： | 协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;B28D5/04;B24B27/06;B24D99/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 201406 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏领域，具体公开了一种硅片，该硅片的切割面上具有沿第一方向排布的若干切痕图案；切痕图案由若干线痕弯折连接或交叉连接。上述硅片，由于其切痕图案由若干线痕弯折连接或交叉连接，在经过常规的酸碱制绒工艺之后，可以形成有效的陷光结构，从而使金刚线切割工艺与常规酸碱制绒工艺兼容。本发明还公开了一种上述硅片的制备方法及一种硅片线切割装置。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 及其 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种金刚线切割后的硅片，其特征在于，所述硅片的切割面上具有沿第一方向排布的若干切痕图案；所述切痕图案由若干线痕弯折连接或交叉连接而成；所述硅片的切割面上还设有沿第一方向间隔分布的沟壑；所述沟壑沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直；所述沟壑处的线痕平行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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