[发明专利]硅片及其制备方法及装置

权利要求书

1.一种金刚线切割后的硅片，其特征在于，所述硅片的切割面上具有沿第一方向排布的若干切痕图案；所述切痕图案由若干线痕弯折连接或交叉连接而成；所述硅片的切割面上还设有沿第一方向间隔分布的沟壑；所述沟壑沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直；所述沟壑处的线痕平行。

2.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，所述沟壑的深度为5～50μm；所述沟壑的宽度为0.1～1.5mm。

3.一种权利要求1所述的硅片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将硅晶体用金刚线进行线切割；

在所述线切割过程中，使所述金刚线上的金刚砂沿第一方向振动，以形成切痕图案；

还包括在所述线切割过程中，使所述金刚线上的金刚砂只沿第二方向移动，以形成沟壑。

4.一种用于制备权利要求1所述的硅片的硅片线切割装置，其特征在于，包括：

两个导轮，平行设置；所述两个导轮中的至少一个为非圆形导轮，所述非圆形导轮的表面各点到所述非圆形导轮的转动轴的距离的最大差值为a，0<a<1mm；

以及金刚线，张紧于两个导轮之间，且在导轮的带动下运动。

5.根据权利要求4所述的硅片线切割装置，其特征在于，所述两个导轮均呈正多边形。

6.根据权利要求4所述的硅片线切割装置，其特征在于，所述导轮包括呈圆形的基轮、以及可伸缩连接在所述基轮的表面上的若干凸起。

7.根据权利要求4所述的硅片线切割装置，其特征在于，所述金刚线的金属基线呈波浪形。

8.根据权利要求7所述的硅片线切割装置，其特征在于，所述金刚线的金刚砂包括第一金刚砂以及第二金刚砂，所述第一金刚砂与所述第二金刚砂的比例为9:1～1:1。