[发明专利]一种实现超陡峭掺杂梯度和超浅结深的分子层掺杂方法在审
| 申请号： | 201610649282.7 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106229257A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 黎明;陈珙;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 黄凤茹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种分子层掺杂方法，包括：去除待掺杂结构表面的沾污和自然氧化层，露出待掺杂结构表面的氢键；在待掺杂结构表面覆盖一层含杂质元素的有机分子，该有机分子与待掺杂结构表面形成共价键结合，作为掺杂的杂质源；淀积盖帽层，以达到防止退火时杂质元素外扩散的目的；通过退火使有机分子中的杂质元素进入待掺杂结构，形成超陡峭的掺杂梯度和超浅结深；去除有机分子和盖帽层；由此制备得到集成电路中超陡峭掺杂梯度和超浅结深的器件，具有更高的掺杂浓度和杂质激活率，可大大放宽对后续退火工艺的要求，工艺简单，成本代价小，能够满足小尺寸器件中实现超陡峭掺杂梯度和超浅结深的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 陡峭 掺杂 梯度 超浅结深 分子 方法 | ||
【主权项】：
一种分子层掺杂方法，用于制备超陡峭掺杂梯度和超浅结深的小尺寸器件；包括如下步骤：1)去除待掺杂结构表面的沾污和自然氧化层，露出待掺杂结构表面的氢键；2)在待掺杂结构表面覆盖一层含杂质元素的有机分子，该有机分子与待掺杂结构表面形成共价键结合，作为掺杂的杂质源；3)淀积盖帽层，以达到防止退火时杂质元素外扩散的目的；4)通过退火使有机分子中的杂质元素进入待掺杂结构，形成超陡峭的掺杂梯度和超浅结深；5)去除有机分子和盖帽层；由此制备得到超陡峭掺杂梯度和超浅结深的器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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