[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括如下步骤：形成多个部件与包含与所述多个部件不同的材料的多个中间体交替地积层而成的积层体；对至少2层的所述多个部件的端部沿所述积层方向依次进行加工，而形成所述多个部件与所述多个中间体积层而成的阶梯状的阶差；形成与所述阶差相接的多个侧壁膜；及将所述多个部件的端部形成为阶梯状。将所述多个部件的端部形成为阶梯状的步骤包含使所述多个部件中与所述多个侧壁膜相隔而从所述积层体露出的部分后退的步骤。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于具备如下步骤：形成多个部件与包含与所述多个部件不同的材料的多个中间体交替地积层而成的积层体；对至少2层的所述多个部件的端部沿所述积层体的积层方向依次进行加工，而形成所述多个部件与所述多个中间体积层而成的阶梯状的阶差；形成与所述阶差相接的多个侧壁膜；及进行使所述多个部件中与所述多个侧壁膜相隔而从所述积层体露出的部分后退的加工，而将所述多个部件的端部形成为阶梯状。