[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于具备积层体及第1侧壁膜，

所述积层体包含第1构造体与第2构造体，

所述第1构造体包含：

第1电极层，在上表面包含第1阶面；及

第1绝缘体，设置在所述第1电极层上；

所述第2构造体将所述第1阶面上除外而设置在所述第1构造体上，所述第2构造体包含：

第2电极层，在上表面包含第2阶面；及

第2绝缘体，设置在所述第2电极层上；且

所述第1侧壁膜设置在所述第1阶面上，与所述第2构造体的上表面相隔；

所述第1侧壁膜包含：

第1膜，与所述第2构造体的侧面相接；及

第2膜，与所述第2构造体相隔，蚀刻速率比所述第1膜的蚀刻速率小，且所述第1膜设置在所述第2膜与所述第2构造体之间；

所述第2膜的沿着所述积层体的积层方向的厚度比所述第1膜的厚度厚。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括与所述第1侧壁膜及所述第2构造体相隔的第2侧壁膜，

所述积层体包含将所述第2阶面上除外而设置在所述第2构造体上的第3构造体，

所述第3构造体包含：

第3电极层，在上表面包含第3阶面；及

第3绝缘体，设置在所述第3电极层上；且

所述第2侧壁膜设置在所述第3阶面上，与所述第3构造体相接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：

绝缘层，一体地设置在所述第1构造体及所述第2构造体上；及

第1接触部及第2接触部，设置在所述绝缘层内，且沿所述积层体的积层方向延伸；

所述第1接触部与所述第1侧壁膜及所述第1电极层相接，且与所述第2电极层相隔，

所述第2接触部与所述第2电极层相接，且与所述第1电极层及所述第1侧壁膜相隔。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还具备：

半导体主体，设置在所述积层体内，沿所述积层体的积层方向延伸，且所述半导体主体与所述第1阶面及所述第2阶面相隔；及

电荷存储膜，设置在所述半导体主体与所述第1电极层之间及所述半导体主体与所述第2电极层之间。

5.一种半导体装置，其特征在于具备：

积层体，包含介隔绝缘体积层的多个电极层，且所述多个电极层包含设置成阶梯状的多个阶面；

多个侧壁膜，设置在所述多个阶面上，且所述多个侧壁膜隔着1个以上的阶面而配置；

半导体主体，设置在所述积层体内，沿所述积层体的积层方向延伸，且所述半导体主体与所述多个阶面相隔；

电荷存储膜，设置在所述积层体与所述半导体主体之间；及

多个接触部，设置在所述多个阶面上，沿所述积层方向延伸，且多个接触部与所述多个电极层中的1个电极层相接，而与其他多个电极层相隔；

所述多个阶面包含：

多个第1阶面，在上方设置着所述多个侧壁膜；及

多个第2阶面，没有在上方设置所述多个侧壁膜；且

沿着相对于所述积层方向相交的第1方向，所述多个第1阶面的宽度的变化比所述多个第2阶面的宽度的变化小。