[发明专利]研磨头、CMP研磨装置以及导体集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 201610626646.X | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106425833B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 山本祐广 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/30 | 分类号： | B24B37/30;B24B37/32;B24B37/34;B24B37/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供研磨头、CMP研磨装置以及导体集成电路的制造方法。提高了研磨均匀性。研磨头具备：研磨盘上的晶片；气囊，其与晶片的背面抵接，将晶片的正面按压于研磨盘；以及顶环，其包围气囊和所述晶片，其中，使与晶片的外周部抵接的气囊的膜厚比与晶片的中心部抵接的气囊的膜厚大。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 cmp 装置 以及 导体 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨头，其为CMP研磨装置的研磨头，其特征在于，该研磨头具有：研磨盘；第1气囊和第2气囊，该第1气囊和该第2气囊与载置于所述研磨盘的表面的晶片的背面抵接，将所述晶片的正面按压于所述研磨盘；以及顶环，其包围所述第1气囊和所述第2气囊和所述晶片，与所述晶片的中心部抵接的所述第1气囊和与所述晶片的外周部抵接的所述第2气囊是不同的袋体，所述第2气囊的第2膜厚比所述第1气囊的第1膜厚大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾普凌科有限公司，未经艾普凌科有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610626646.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种液胀式内孔精密研磨工装
- 下一篇：一种自动球面送料机
