[发明专利]一种锑化镓晶体生长除杂装置有效
| 申请号： | 201610615297.1 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106435710B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 郭文斌;徐永宽;张颖武;李璐杰;司华青;霍晓青;董彦辉;练小正;于凯 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锑化镓晶体生长除杂装置。该除杂装置包括除杂连接件和除杂坩埚两部分，并通过除杂连接件与由籽晶拉线、籽晶杆和籽晶构成的Cz单晶炉籽晶装置连接；除杂连接件和除杂坩埚均设为圆柱形，除杂连接件的上端设有与籽晶杆连接的中心孔，该中心孔内径大于籽晶杆拉线外径且小于籽晶杆外径，除杂连接件通过该中心孔挂在籽晶杆上；除杂连接件的下端与除杂坩埚的上端焊接；除杂坩埚外径小于生长坩埚内径3‑5mm，除杂坩埚底部设为网状，以去除杂质，保留纯净的熔体。采用本装置可去除LEC法生长GaSb单晶过程中的杂质，消除杂质对成晶的影响，提高成晶率及晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化镓 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种锑化镓晶体生长除杂装置，其特征在于：该除杂装置（4）包括除杂连接件（5）和除杂坩埚（6）两部分，并通过除杂连接件（5）与由籽晶杆拉线（1）、籽晶杆（2）和籽晶（3）构成的Cz单晶炉籽晶装置连接；除杂连接件（5）和除杂坩埚（6）均设为圆柱形，除杂连接件（5）的上端设有与籽晶杆（2）连接的中心孔，该中心孔内径大于籽晶杆拉线（1）外径且小于籽晶杆（2）外径，除杂连接件（5）通过该中心孔挂在籽晶杆（2）上；除杂连接件（5）的下端与除杂坩埚（6）的上端焊接；除杂坩埚（6）外径小于生长坩埚（8）内径3‑5mm，除杂坩埚（6）底部设为网状，以去除杂质，保留纯净的熔体。
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