[发明专利]半导体制造装置有效
申请号: | 201610580632.9 | 申请日: | 2016-07-21 |
公开(公告)号: | CN106711064B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 脇岡宽之 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L27/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的实施方式减少衬底的起伏。实施方式的半导体制造装置具有:导轨,能够支撑衬底且沿第一方向延伸;加热板,配置在所述导轨的下方;第一夹具,配置在所述导轨的上方;以及第一突起部与第二突起部,能够在与所述加热板之间夹住所述衬底,设置在所述第一夹具,沿与所述第一方向交叉的第二方向并排配置;所述第一突起部比所述第二突起部更能够夹住所述衬底的靠近中央部的位置,且所述第一突起部的前端与第一夹具的所述加热板侧表面的距离比所述第二突起部的前端与第一夹具的所述加热板侧表面的距离长。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,其特征在于具有:导轨,能够支撑衬底且沿第一方向延伸;加热板,配置在所述导轨的下方,具备具有多个孔的上表面;以及抽吸部,连接到所述多个孔,能够经由所述孔抽吸所述衬底;所述上表面在与所述第一方向交叉的第二方向上具有第一区域及第二区域,所述第一区域配置在比所述第二区域更靠所述衬底的中央侧,且所述第一区域能够比所述第二区域更早地抽吸所述衬底;第一配管,连接到所述第一区域的所述孔及所述抽吸部而配置;第二配管,连接到所述第二区域的所述孔及所述第一配管而配置;以及阀,配置在所述第一配管与所述第二配管之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造