[发明专利]半导体制造装置有效
申请号: | 201610580632.9 | 申请日: | 2016-07-21 |
公开(公告)号: | CN106711064B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 脇岡宽之 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L27/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 | ||
本发明的实施方式减少衬底的起伏。实施方式的半导体制造装置具有:导轨,能够支撑衬底且沿第一方向延伸;加热板,配置在所述导轨的下方;第一夹具,配置在所述导轨的上方;以及第一突起部与第二突起部,能够在与所述加热板之间夹住所述衬底,设置在所述第一夹具,沿与所述第一方向交叉的第二方向并排配置;所述第一突起部比所述第二突起部更能够夹住所述衬底的靠近中央部的位置,且所述第一突起部的前端与第一夹具的所述加热板侧表面的距离比所述第二突起部的前端与第一夹具的所述加热板侧表面的距离长。
[相关申请]
本申请享有以日本专利申请2015-222346号(申请日:2015年11月12日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本实施方式涉及一种半导体制造装置。
背景技术
在半导体制造装置中,有压抵衬底的情况。
发明内容
本发明的实施方式提供一种能够减少衬底的起伏的半导体制造装置。
实施方式的半导体制造装置具有:导轨,能够支撑衬底且沿第一方向延伸;加热板,配置在所述导轨的下方;第一夹具,配置在所述导轨的上方;以及第一突起部与第二突起部,能够在与所述加热板之间夹住所述衬底,设置在所述第一夹具,沿与所述第一方向交叉的第二方向并排配置;所述第一突起部比所述第二突起部更能够夹住所述衬底的靠近中央部的位置,且所述第一突起部的前端与第一夹具的所述加热板侧表面的距离比所述第二突起部的前端与第一夹具的所述加热板侧表面的距离长。
附图说明
图1是对第一实施方式的半导体制造装置进行说明的示意性俯视图。
图2是对第一实施方式的半导体制造装置进行说明的示意性立体图。
图3(A)是示意性地表示第一实施方式的夹具的整体图像的剖视图。
图3(B)是示意性地表示第一实施方式的夹具的突起部的放大图像的剖视图。
图4是示意性地表示第一实施方式的比较例的夹具的整体图像的剖视图。
图5(A)~(C)是对第一实施方式的比较例中夹具压抵衬底的步骤进行说明的示意性剖视图。
图6(A)~(C)是对第一实施方式的夹具压抵衬底的步骤进行说明的示意性剖视图。
图7(A)及(B)是对第一实施方式的夹具的变化例进行说明的示意性剖视图。
图8是对第一实施方式的夹具的变化例进行说明的示意性剖视图。
图9是对第一实施方式的夹具的变化例进行说明的示意性立体图。
图10是对第二实施方式的半导体制造装置进行说明的示意性俯视图。
图11是对第二实施方式的半导体制造装置中配置在加热板上表面的孔与真空泵之间的连接关系进行说明的示意性剖视图。
图12是表示第二实施方式中时间与各配管的压力的关系的示意性曲线图。
图13是对第二实施方式的半导体制造装置的变化例进行说明的示意性俯视图。
图14是对第二实施方式的变化例的半导体制造装置中配置在加热板上表面的孔与真空泵之间的连接关系进行说明的示意性剖视图。
图15是对第二实施方式的变化例的半导体制造装置中配置在加热板上表面的孔与真空泵之间的连接关系进行说明的示意性剖视图。
图16是对第三实施方式的半导体制造装置中配置在加热板上表面的孔与真空泵之间的连接关系进行说明的示意性剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造