[发明专利]一种标称高度10μm-100μm台阶高度标准样块的制备方法有效
| 申请号： | 201610578470.5 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN106017385B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 冯亚南;李锁印;韩志国;吴爱华;赵琳;许晓青;梁法国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01B21/08 | 分类号： | G01B21/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种标称高度10μm‑100μm台阶高度标准样块的制备方法，属于台阶仪校准技术领域。本发明包括如下步骤：采用双面抛光的硅晶圆片作为衬底材料；在硅晶圆片表面生长氧化层；在氧化层表面涂光刻胶；曝光，其中掩膜版为负版，图形区域为透光区；去除透光区的光刻胶；使用反应离子刻蚀机进行刻蚀，将没有光刻胶掩蔽的台阶区域的氧化层刻蚀掉；使用深反应离子刻蚀机刻蚀硅晶圆片，对没有光刻胶掩蔽的台阶区域的硅晶圆片进行刻蚀，刻蚀深度小于要制备的标准样块的标称高度；去除光刻胶；湿法刻蚀，刻蚀深度达到标称高度要求；在硅晶圆片表面溅射金属保护层，制得所要的标准样块。本发明能准确控制台阶高度，满足作为标准样块的要求，且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标称 高度 10 100 台阶 标准 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种标称高度10μm-100μm台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)采用双面抛光的硅晶圆片(1)作为衬底材料，清洗、干燥；/n(2)在硅晶圆片(1)表面生长氧化层(2)；/n(3)在氧化层(2)表面涂光刻胶(3)，烘烤；/n(4)通过深紫外光曝光，其中掩膜版为负版，图形区域为透光区；/n(5)在碱溶液中显影，去除透光区的光刻胶(3)，然后烘烤；/n(6)使用反应离子刻蚀机进行刻蚀，将没有光刻胶(3)掩蔽的台阶区域的氧化层(2)刻蚀掉；/n(7)使用深反应离子刻蚀机刻蚀硅晶圆片(1)，对没有光刻胶(3)掩蔽的台阶区域的硅晶圆片(1)进行刻蚀，刻蚀深度小于要制备的标准样块的标称高度；/n(8)使用丙酮溶液去除光刻胶(3)；/n(9)湿法刻蚀：对没有氧化层掩蔽的台阶区域的硅晶圆片(1)继续进行刻蚀，刻蚀深度达到标称高度要求，刻蚀结束，清洗硅片；/n(10)在硅晶圆片(1)表面溅射金属保护层(4)，制得所要的标准样块；/n步骤(2)中，使用热氧化工艺生长氧化层(2)，氧化层(2)的厚度为400nm-500nm。/n
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