[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610559626.5 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107623034B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片和覆盖所述鳍片底部的隔离材料层，以使所述鳍片具有目标高度，在所述鳍片上还形成有环绕所述鳍片的栅极介电层和虚拟栅极；去除所述虚拟栅极，以露出所述栅极介电层；在所述栅极介电层上形成保护层，以覆盖所述栅极介电层，其中，所述保护层的蚀刻速率大于所述栅极介电层的蚀刻速率；去除位于所述核心区中的所述保护层和所述栅极介电层，以露出所述核心区中的所述鳍片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片和覆盖所述鳍片底部的隔离材料层，以使所述鳍片具有目标高度，在所述鳍片上还形成有环绕所述鳍片的栅极介电层和虚拟栅极；去除所述虚拟栅极，以露出所述栅极介电层；在所述栅极介电层上形成保护层，以覆盖所述栅极介电层，其中，所述保护层的蚀刻速率大于所述栅极介电层的蚀刻速率；去除位于所述核心区中的所述保护层和所述栅极介电层，以露出所述核心区中的所述鳍片。
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