[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片和覆盖所述鳍片底部的隔离材料层，以使所述鳍片具有目标高度，在所述鳍片上还形成有环绕所述鳍片的栅极介电层和虚拟栅极；

去除所述虚拟栅极，以露出所述栅极介电层；

在所述栅极介电层上形成保护层，以覆盖所述栅极介电层，其中，所述保护层的蚀刻速率大于所述栅极介电层的蚀刻速率；

去除位于所述核心区中的所述保护层和所述栅极介电层，以露出所述核心区中的所述鳍片。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在露出所述核心区中的所述鳍片之后所述方法还进一步包括：

在所述核心区中露出的所述鳍片上形成界面层；

在所述保护层和所述界面层上形成金属栅极。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在形成所述界面层之后执行退火步骤，以使所述保护层和所述界面层致密化。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在形成所述界面层之前或者形成所述界面层之后所述方法还进一步包括图案化所述输入输出区中的所述栅极介电层和所述保护层的步骤，以去除所述隔离材料层上的所述栅极介电层和所述保护层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述鳍片之后通过原位水蒸气氧化的方法形成所述栅极介电层。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过原子层沉积氧化物的方法形成所述保护层。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成具有目标高度的所述鳍片的方法包括：

在所述核心区和所述输入输出区上形成若干所述鳍片；

沉积隔离材料层，以覆盖所述鳍片；

回蚀刻所述隔离材料层，以露出部分所述鳍片至目标高度。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述栅极介电层和所述虚拟栅极之后还进一步包括：

在所述虚拟栅极的侧壁上形成偏移侧壁；

执行LDD离子注入；

在所述虚拟栅极两侧的所述半导体衬底中外延生长半导体材料层，以形成抬升源漏；

在所述虚拟栅极和所述抬升源漏上形成接触孔蚀刻停止层，以覆盖所述虚拟栅极和所述抬升源漏；

沉积层间介电层，以覆盖所述接触孔蚀刻停止层；

平坦化所述层间介电层至所述虚拟栅极的顶部。

9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过权利要求1至8之一所述方法制备得到。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求9所述的半导体器件。