[发明专利]向金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的装置和方法有效
| 申请号： | 201610556025.9 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105973678B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 周强;付鑫鹏;李芳菲 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的向金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的装置和方法属于高压装置的技术领域。装置结构有光学显微镜(9)、样品台(4)、三维平移台(5)、延展臂(6)、竖井(7)和玻璃片(8)。利用本发明可以将二维层状半导体材料转移到金刚石对顶砧中，克服了传统技术中衬底材料形变影响样品材料性质的弊端，更打破了目前少数层级二维层状半导体材料高压下电学性能测量中的技术壁垒。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 转移 二维 层状 半导体材料 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种向金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的装置，其结构有光学显微镜(9)和样品台(4)，其特征在于，结构还有三维平移台(5)、延展臂(6)、竖井(7)和玻璃片(8)，其中延展臂(6)的一端固定在三维平移台(5)上且能在三维平移台(5)的带动下在前后、左右、竖直3个方向自由平移，延展臂(6)的另一端与竖井(7)的顶部固定在一起，竖井(7)垂直放置，其中心有一个由上到下的通孔，竖井的底部粘附玻璃片(8)。
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