[发明专利]集成温度湿度气体传感的传感器电路制造方法及传感器有效
| 申请号： | 201610545854.7 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN106082102B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 赖建文 | 申请（专利权）人： | 上海申矽凌微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;G01D21/02 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 201108 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成温度湿度气体传感的传感器电路制造方法及传感器，包括如下步骤在第一硅片制造温度传感器；在第二硅片上制造出气敏电阻和湿敏电容；将第一硅片和第二硅片封装成一体，将气敏电阻、湿敏电容与温度传感器进行电连接。本发明利用半导体工艺技术在标准的硅片上分别制造出两个芯片，一个集成温敏的半导体二极管和模拟数字集成电路，一个是集成湿度和气体传感单元的传感器，通过封装技术把两片芯片封在同一个封装盒内，实现单一器件，可以同时检测温度，湿度以及气体的种类浓度等信息，因为气体的测量信号与环境的温度和湿度有关，利用集成的温度湿度数据对气体测量数据进行修正，提高气体测量的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 温度 湿度 气体 传感 传感器 电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成温度湿度气体传感的传感器电路制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：在第一硅片(1)制造温度传感器；步骤S2：在第二硅片(24)上制造出气敏电阻和湿敏电容；步骤S3：将第一硅片(1)和第二硅片(24)封装成一体，将气敏电阻、湿敏电容与所述温度传感器进行电连接；第一硅片(1)上包含有对温度敏感的半导体二极管；第一硅片(1)上依次设置有第一介质层(7)、第二介质层(8)、第三介质层(9)、第四介质层(10)；第四介质层(10)上开有接触孔(11)；所述接触孔(11)孔底的第三金属薄膜(4)依次通过第二金属薄膜(3)、第一金属薄膜(2)连接所述半导体二极管。
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