[发明专利]集成温度湿度气体传感的传感器电路制造方法及传感器

权利要求书

1.一种集成温度湿度气体传感的传感器电路制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：在第一硅片(1)制造温度传感器；

步骤S2：在第二硅片(24)上制造出气敏电阻和湿敏电容；

步骤S3：将第一硅片(1)和第二硅片(24)封装成一体，将气敏电阻、湿敏电容与所述温度传感器进行电连接；

第一硅片(1)上包含有对温度敏感的半导体二极管；第一硅片(1)上依次设置有第一介质层(7)、第二介质层(8)、第三介质层(9)、第四介质层(10)；

第四介质层(10)上开有接触孔(11)；所述接触孔(11)孔底的第三金属薄膜(4)依次通过第二金属薄膜(3)、第一金属薄膜(2)连接所述半导体二极管。

2.根据权利要求1所述的集成温度湿度气体传感的传感器电路制造方法，其特征在于，所述步骤S2包括如下步骤：

步骤S201：在第二硅片(24)上淀积第一层氧化硅SiO₂薄膜(12)；

步骤S202：在第一层氧化硅SiO₂薄膜(12)沉积第四金属薄膜(13)，在第四金属薄膜(13)对应的区域形成气敏电阻区域(26)；第四金属薄膜(13)的相邻区域形成湿敏电容区域(27)；

步骤S203：在第四金属薄膜(13)上刻出加热电阻层图形；

步骤S204：在第四金属薄膜(13)上沉积氮化硅薄膜(14)，并在所述氮化硅薄膜(14)上刻蚀出接触窗口孔(22)；

步骤S205：在氮化硅薄膜(14)上沉积第五金属薄膜(15)，所述第五金属薄膜(15)覆盖接触窗口孔(22)，进而连接第四金属薄膜(13)；

步骤S206：在第五金属薄膜(15)上淀积第六金属薄膜(16)，并形成第六金属薄膜(16)与第五金属薄膜(15)的电连接；

步骤S207：在气敏电阻区域(26)对应的第六金属薄膜(16)上刻蚀第一窗口图形(18)，刻蚀停止在第五金属薄膜(15)上；

步骤S208：在气敏电阻区域(26)对应的第五金属薄膜(15)上刻出第二窗口图形(17)，刻蚀停止在氮化硅薄膜(14)上；

步骤S209：在第五金属薄膜(15)和第六金属薄膜(16)上淀积第二层氧化硅SiO₂薄膜(28)；

步骤S210：在气敏电阻区域(26)通过光刻去除部分第二层氧化硅SiO₂薄膜(28)做出接触窗口图形(23)，刻蚀停止在氮化硅薄膜(14)暴露出部分第五层金属薄膜(15)；

步骤S211：在接触窗口图形(23)淀积金属氧化物薄膜(20)，去除光刻胶并进行真空烘烤，在接触窗口图形(23)形成气敏电阻；

步骤S212：在湿敏电容区域(27)对应的第二层氧化硅SiO₂薄膜(28)上涂布高分子湿敏材料，通过光刻形成湿敏电容图形(19)，并再次进行真空烘烤形成湿敏电容。

3.根据权利要求1所述的集成温度湿度气体传感的传感器电路制造方法，其特征在于，所述步骤S3包括如下步骤：

步骤S301：在金属氧化物薄膜(20)的两侧和湿敏电容图形(19)的两侧刻蚀第二层氧化硅SiO₂薄膜(28)，得到接触孔(21)，暴露出第六金属层(16)；

步骤S302：将第二硅片(24)背面研磨减薄至100到200微米，将第二硅片(24)背面粘附在第四介质层(10)上；

步骤S303：将金属氧化物薄膜(20)的一接触孔(21)对应的第六金属薄膜(16)通过一金焊线连接至温度传感器的一接触孔(11)孔底的第三金属薄膜(4)；将湿敏电容图形(19)的一接触孔(21)对应的第六金属薄膜(16)通过一金焊线连接至温度传感器的另一接触孔(11)孔底的第三金属薄膜(4)。