[发明专利]封装基板及其制作方法、封装结构在审
申请号: | 201610544263.8 | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN107611036A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 陈贻和 | 申请(专利权)人: | 碁鼎科技秦皇岛有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 谢志为 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 一种封装基板包括第一导电线路层以及绝缘层。第一导电线路层包括相对的第一端部以及第二端部。绝缘层包覆第二端部并填充第一导电线路层所形成的间隙,以使第一导电线路层内埋于绝缘层中,第一端部的宽度大于第二端部的宽度。绝缘层内开设多个用于暴露第一导电线路层的盲孔,盲孔中形成有导电部。绝缘层上还形成有第二导电线路层。第二导电线路层与绝缘层接触的部分设有一第二铜箔层。第二导电线路层包括临近第二端部设置的第三端部以及与第三端部相对的第四端部。第三端部的宽度大于第四端部的宽度。第一导电线路层和第二导电线路层上形成有防焊层。每一防焊层上开设有开口。本发明还提供一种以上封装基板的制作方法以及一种封装结构。 | ||
搜索关键词: | 封装 及其 制作方法 结构 | ||
【主权项】:
一种封装基板的制作方法,包括:提供一基板单元,包括一承载板、结合于所述承载板的至少一表面的一抗蚀层以及形成于每一抗蚀层上的一第一铜箔层;利用二流体蚀刻技术蚀刻每一第一铜箔层而得到一第一导电线路层,使所述第一导电线路层形成有临近所述抗蚀层设置的第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部,所述第一端部的宽度大于所述第二端部的宽度;在每一第一导电线路层的表面上压合一覆铜基板,所述覆铜基板包含一绝缘层与一第二铜箔层,并使所述绝缘层填充于所述第一导电线路层所形成的间隙中,从而使所述第一导电线路层被所述绝缘层包覆而呈嵌埋型态;利用半蚀刻技术薄化每一第二铜箔层,并在薄化后的每一第二铜箔层及绝缘层上开设多个用于暴露所述第一导电线路层的盲孔;在薄化后的每一第二铜箔层上形成一电镀铜层,并使所述电镀铜层填充于所述盲孔中而形成导电部;利用二流体蚀刻技术蚀刻每一电镀铜层以及形成于于所述电镀铜层下的第二铜箔层而得到一第二导电线路层,使所述第二导电线路层形成有临近所述第一导电线路层的第二端部设置的第三端部以及与所述第三端部相对的第四端部,所述第三端部的宽度大于所述第四端部的宽度,其中所述第二导电线路层通过所述导电部与所述第一导电线路层电性连接;以及移除每一抗蚀层及该承载板之后,在所述第一导电线路层和所述第二导电线路层上分别形成一防焊层,然后在每一防焊层上开设用于分别暴露所述第一导电线路层的第一端部和第二导电线路层的第四端部的开口,从而得到所述封装基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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